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封装
C1
C2
P2
P3
E1
E1A
E2A
E2
E3
GJ
集电极-发射极电压VCES min.(V)
650
1200
集电极电流IC @ TC=80℃(A)
10
15
20
25
30
35
40
50
75
100
150
200
225
300
400
450
600
饱和压降VCE(sat)typ.(V)
1.45
1.55
1.6
1.65
1.8
1.85
1.9
2.3
2.4
3
3.1
开关能量损耗典型值Eon+Eoff typ.Tj=125℃（mJ）
0.52
0.68
1.12
1.24
1.52
1.53
1.63
1.81
1.82
2.38
2.57
2.58
2.85
3.15
3.6
3.71
4.28
4.5
4.55
4.56
5.61
5.7
6.2
6.25
6.27
6.65
6.8
7.41
8.2
8.55
9.3
9.41
10.21
10.45
10.93
11.88
12.02
12.07
12.35
12.86
13.4
14.22
14.62
15.3
15.96
16.01
17.48
17.7
18.05
18.1
18.21
19.23
24.5
28.5
30
31.3
33.6
34
34.2
36.35
43
45.2
46.4
48.45
53
54
57
57.7
61.2
62
77.9
91
121
最大结-壳热阻 Rth(j-c)max.(℃/W)
0.02
0.03
0.04
0.047
0.05
0.06
0.065
0.07
0.075
0.08
0.09
0.1
0.11
0.12
0.13
0.15
0.16
0.17
0.18
0.19
0.2
0.21
0.22
0.24
0.25
0.27
0.3
0.31
0.32
0.33
0.36
0.37
0.38
0.39
0.4
0.41
0.42
0.43
0.44
0.47
0.59
0.62
0.66
0.67
0.68
0.87
0.95
1.05
1.14
1.24
1.43
重置
型号
规格书
集电极-发射极电压VCES min.(V)
集电极电流 IC @ TC=80℃(A)
饱和压降 VCE(sat)typ.(V)
开关能量损耗典型值Eon+Eoff typ.Tj=125℃（mJ）
最大结-壳热阻 Rth(j-c)max.(℃/W)
封装
产品状态
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