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碳化硅JBS肖特基二极管
产品介绍 1.利用JBS结构的特点,可以改善肖特基二极管漏电大的问题,减小器件的关态耗散功率; 2.采用减薄工艺降低器件的导通电阻,以提高器件正向电流密度,降低VF; 3.具有完善的SiC SBD产品系列,包含电压范围650V-1200V,电流范围6A-40A,封装包含TO252,TO-263,TO-247,TO-220等多种封装形式; 4.满足常规开关应用和能效控制要求高的高压高速开关应用; 5.采用环保物料,符合RoHS标准。 产品特点 1.耐高温特性,工作温度(175°C);开关速度快,几乎无反向恢复,适用于高压,高频的应用条件; 2.采用先进的减薄工艺,使SIC SBD具有优异的低阻抗特性,减小器件能量损耗; 3.封装类型丰富,有TO-247、TO-220、ITO-220、TO-263、TO-252等多种封装形式可选。
新产品宣告
碳化硅JBS肖特基二极管 规格书

YJD106508BG1 YJD106508DG1 YJD106508FG1 YJD106508PG1 YJD106510BG1 YJD106510DG1 YJD106510FG1 YJD106510PG1 YJD112010DG1 YJD112010FG1 YJD112010PG1 YJD112015NG1 YJD112020NCTG1 YJD112020NG1 YJD112030NG1 YJD112040NCTG1

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